低インダクタンス電力用半導体素子または装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-055617
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252405
出願日： 1999年03月03日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】電力用半導体素子やその装置の内部インダクタンスの値を、より一層減少できるようにすることにある。【手段】電力用半導体素子の主回路電極や主回路導体、またはこれらの周辺の空間や周辺の絶縁物を、表面の必要箇所を絶縁した方形に近い形状の金属ブロックで埋めたり置き換える。この低インダクタンス電力用半導体素子を組み合わせた電力用半導体装置でも同様に装置内部の空間や周辺の絶縁物を、表面の必要箇所を絶縁した方形に近い形状の金属ブロックで埋めたり置き換える。前記各金属ブロックの内部を空洞にしたり、この空洞部分に素子や装置の部分や回路部品を収納する。圧接平形電力用半導体素子の上下電極を、外形が方形に近い金属ブロックで構成する

請求項（抜粋）：

表面の必要箇所に絶縁が施されている外形が方形に近い金属ブロックで電力用半導体素子の主回路電極や主回路導体を構成、または前記金属ブロックをそれらの周囲の空間に設置することを特徴とする低インダクタンス電力用半導体素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の組立構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-324888 出願人：富士電機株式会社
特開平2-281737
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-096428 出願人：株式会社東芝

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