特許

J-GLOBAL ID：200903058439318418

窒化物半導体発光素子

発明者： 中村 修二 ,  岩佐 成人 ,  長濱 慎一
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-322924
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228025
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【課題】向上した発光出力を示す窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】InおよびGaを含有する窒化物半導体からなる活性層(6)の両側またはその一方に接してInおよびGaを含有する窒化物半導体からなるクラッド層(5、7)を形成する。

請求項（抜粋）：

インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第1の面と第2の面とを有する活性層を有し、該活性層の第1の面に接して活性層よりもバンドギャップが大きく、かつインジウムとガリウムとを含むn型窒化物半導体よりなる第1のn型クラッド層を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-307430   出願人：日立電線株式会社