特許
J-GLOBAL ID：200903016933816299
発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-307430
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167735
出願日： 1994年12月12日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】チッ素化合物系の発光ダイオードにおいて、良質の活性層を成長することができるようにして、超高輝度で紫外、青色、緑色の光を出せるようにする。【構成】サファイア基板7上にAlNのバッファ層6を形成し、その上にn型InGaN電流分散層5、n型InGaNクラッド層4、InGaN活性層3、p型InGaNクラッド層2、p型InGaN電流拡散層1を順次形成する。活性層3のGaN混晶比は0.6とする。電流拡散層1、5のGaN混晶比を0.7として、活性層と電流拡散層との混晶比差を0.2以下とする。このように電流拡散層の組成を活性層に近い組成にすることにより、良質の活性層を成長できる。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上にチッ素化合物半導体のバッファ層を形成し、その上にn型のチッ素化合物半導体またはチッ素化合物混晶半導体の電流分散層を形成し、更にその上にチッ素化合物半導体またはチッ素化合物混晶半導体の活性層を、それよりもバンドギャップエネルギーの大きなn型とp型のチッ素化合物半導体またはチッ素化合物混晶半導体のクラッド層で挟んだダブルヘテロ層をn型層の方が下になるように形成し、その上にp型のチッ素化合物半導体またはチッ素化合物混晶半導体の電流分散層を形成した発光素子において、上記ダブルヘテロ層を挟んでいるp型とn型のチッ素化合物半導体またはチッ素化合物混晶半導体の電流拡散層と、発光層となるダブルヘテロ層の中央のチッ素化合物半導体またはチッ素化合物混晶半導体の活性層との混晶比差が、0.2以下であることを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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