電子放出素子、電子源及び画像形成装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：世良和信 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-149455
公開番号（公開出願番号）：特開2002-056771
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】電子ビーム径が小さく、電子放出面積が大きく、低電圧で高効率な電子放出が可能で、製造プロセスが容易な電界放出型の電子放出素子、電子源及び画像形成装置を提供する。【解決手段】電子放出素子は、基板1上に配置されたゲート電極2と、ゲート電極2上に配置された絶縁層3と、絶縁層3上に配置されたカソード電極4と、を有し、カソード電極4は、ゲート電極2と絶縁層3とが積層される方向に対して実質的に垂直な、第1の面と第2の面を有しており、そして、カソード電極4の前記第1の面は、絶縁層3に接しており、カソード電極4に印加する電位よりも高い電位をゲート電極2に印加することにより、前記第2の面の電子放出層17から電子を放出することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に配置された第1の電極と、前記第1の電極上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された第2の電極と、を有する電子放出素子であって、前記第2の電極は、前記第1の電極と前記絶縁層とが積層される方向に対して実質的に垂直な、第1の面と第2の面とを有しており、前記第2の電極の前記第1の面は、前記絶縁層に接しており、前記第2の電極に印加する電位よりも高い電位を前記第1の電極に印加することにより、前記第2の面から電子を放出することを特徴とする電子放出素子。

IPC (3件)：

H01J 1/304 , H01J 29/04 , H01J 31/12

FI (3件)：

H01J 29/04 , H01J 31/12 C , H01J 1/30 F

Fターム (5件)：

5C031DD17 , 5C036EF01 , 5C036EF06 , 5C036EG02 , 5C036EG12

引用特許：

審査官引用 (1件)

三極構造の電界放出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-400103 出願人：三星エスディアイ株式会社

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