特許
J-GLOBAL ID：200903019652235180
三極構造の電界放出素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-400103
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210223
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 電界放出物質を用いた三極構造の電界放出素子を提供する。【解決手段】 従来の電界放出物質を用いた二極の電子放出素子において電子を電界放出物質の陰極から引出す役割をするゲート電極を陰極下の基板上に配置することによって素子製作を容易にし、ゲート電圧制御により電界放出物質から放出される電子を制御する。
請求項（抜粋）：
一定の間隔に相互対向して配置された背面基板及び前面基板と、前記両基板の間隔を保ちながらその内部を真空密封するスペーサと、前記両基板の対向面上に各々相互交差するストライプ状に配置された陰極及び陽極と、前記陰極及び陽極の交点に対応する陰極上に形成された電子放出源と、前記電子放出源から放出される電子を制御するゲートとを備えた三極構造の電界放出素子において、前記ゲートは前記陰極の下部の前記背面基板上に配置され、前記ゲートと陰極との間に電気的な絶縁のための絶縁層が形成されたことを特徴とする三極構造の電界放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
