特許

J-GLOBAL ID：200903058462702152

MOSFET

発明者： 蟻川 浩雄 ,  圓尾 昌也
出願人/特許権者： エス・オー・シー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-089314
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274490
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 パワーMOSFETが不導通になった時に、パワーMOSFETに並列に接続した回路の入出力端子に大きな電圧がかからないように保護することができるパワーMOSFETを提供する。【解決手段】 パワーMOSFETを構成するN-型半導体基板11に、P型ボディ層12とN+型ドレイン13との距離より、P型ボディ層12に近いところにN+型層17を形成し、N+型層17の上に並列回路を接続することができる電極18を設ける。

請求項（抜粋）：

P型ボディ層(12、23)とソース層(13、24)とチャネル部とドレイン層(19、21)を形成したN-型半導体基板(11)に、前記P型ボディ層(12、23)と前記ドレイン層(19、21)との距離より、前記P型ボディ層(12、23)に近いところに外部と接続することができるN+型層(17、17'、25)と電極(18、18'、29)を設けた構造のMOSFET。

FI (3件)：

H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 657 G

引用特許：

審査官引用 (6件)

• スイッチング電源用半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-118729   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭61-159767
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-219123   出願人：松下電工株式会社
• パワーMOSFET
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-230296   出願人：松下電工株式会社
• 特開平4-226075
  
• 特開昭54-108586