特許

J-GLOBAL ID：200903063856950023

半導体装置

発明者： 鈴木 裕二 ,  鈴村 正彦 ,  前田 光英 ,  早崎 嘉城 ,  白井 良史 ,  岸田 貴司 ,  高野 仁路
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-219123
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064371
出願日： 1995年08月28日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】高耐圧化に伴うオン抵抗の増加を抑制する。【解決手段】半導体装置たるLDMOSFET1は、支持基板3の表面に酸化膜4を介して設けられた半導体基板2内に、ソース領域5、ドレイン領域6、及びp型ウェル領域7が形成されている。半導体基板2の表面から深さ方向に5μm程度の深さまでの不純物濃度を、それより深い部分の不純物濃度よりも高くしている。これにより、ドレイン領域6からnチャネルに流れるオン電流は上記不純物濃度が高い領域にのみ一様に流れるから、半導体基板2の厚みにかかわらず、オン抵抗を略一定にすることができる。したがって、高耐圧化に伴って半導体基板2の厚みを厚くしても、オン抵抗が増加するのを抑制できる。

請求項（抜粋）：

裏面側において支持基板との間に誘電体膜が形成された第一導電型の半導体基板の表面側に第二導電型のソース領域及びドレイン領域を形成するとともに、ソース領域とドレイン領域の間に介在するチャネル領域上の半導体基板表面に絶縁膜を介してゲート電極を形成して成る半導体装置において、半導体基板の表面から略5μmの深さまでの不純物濃度をそれより深い部分の不純物濃度よりも高くして成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-036913   出願人：株式会社東芝