半導体記憶装置及び画像入力処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-059245
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256515
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】チップ面積をほとんど増加させずに高速書き込みを行うことが可能な不揮発性半導体記憶装置を実現する。【解決手段】複数の不揮発性メモリセルを直列接続したNAND型セルブロックを有する半導体記憶装置において、半導体記憶装置内に2層の金属配線L1、L2を有する領域を設けた。

請求項（抜粋）：

複数の不揮発性メモリセルを直列接続したNAND型セルブロックを有する半導体記憶装置において、前記半導体記憶装置内に2層の金属配線を有する領域を設けたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 27/115 , H01L 27/146 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 , H01L 27/14 A , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

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