半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-210631
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054759
出願日： 1997年08月05日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】スイッチング特性の向上、電位降下や電位遅延による素子特性の劣化の低減を図った半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体基板1と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜2と、前記絶縁膜上に形成された半導体薄膜3と、前記半導体薄膜内に形成されたソース拡散層6及びドレイン拡散層6と、前記半導体薄膜上に絶縁層4を介して形成されたゲート絶縁膜5とからなる電界効果トランジスタと、前記ゲート電極に接続され前記半導体薄膜に電位を与える少なくとも1つの電極8とを有し、前記ゲート電極は前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層との間の前記半導体薄膜の上部にチャネル長と垂直な方向に細長く配置されていて、その幅がほぼ一定になるように形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体薄膜と、前記半導体薄膜内に形成されたソース拡散層及びドレイン拡散層と、前記半導体薄膜上に絶縁層を介して形成されたゲート絶縁膜とからなる電界効果トランジスタと、前記ゲート電極に接続され前記半導体薄膜に電位を与える少なくとも1つの電極とを有する半導体装置において、前記ゲート電極は前記ソース拡散層と前記ドレイン拡散層との間の前記半導体薄膜の上部にチャネル長と垂直な方向に細長く配置されていて、その幅がほぼ一定になるように形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 617 K , H01L 29/78 617 S , H01L 29/78 618 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭58-124243
特開昭52-048475
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-071269 出願人：ゴールドスターエレグトロンカンパニーリミテッド

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