薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-125894
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142734
出願日： 1994年05月17日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】傾斜したドレイン領域を形成してオン/オフ電流比を増加させる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【構成】本発明は、基板51の中央部にゲート電極55を形成するステップと、基板全面にわたってゲート絶縁膜54と半導体層53を順次形成するステップと、ゲート電極55の一側の半導体層上にのみ側壁スペーサ57を形成するステップと、半導体層に不純物イオンをイオン注入して二つの高濃度不純物領域61,62をゲートの両側の半導体層内に形成するステップとを含む。

請求項（抜粋）：

基板と、基板の中央部に形成されたゲート電極と、基板の電極を覆うように基板上に形成された半導体層と、前記ゲート電極の一側の半導体層上に形成された側壁スペーサと、ゲート電極の両側の半導体層内に形成された二つの高濃度不純物領域と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (13件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-237213 出願人：ソニー株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-243378 出願人：日本電気株式会社
特開昭58-105574

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