特許
J-GLOBAL ID：200903058480102944
磁気抵抗デバイス、及び、それを用いた磁気メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-362793
公開番号（公開出願番号）：特開2006-352062
出願日： 2005年12月16日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】反平行結合を有する積層フェリ自由層を用いた、スピンフロップ動作を利用したトグルMRAMにおいて、動作マージンを確保しながらフロップ磁場を低減する。【解決手段】飽和磁場の大きい積層フェリ結合膜と、反転磁場の小さいソフト磁性膜を、好適な大きさで強磁性結合させた積層構造体を磁化自由層に用いる。【選択図】図15A
請求項（抜粋）：
反転可能な磁化自由層と、
磁化が固着された磁化固定層
とを具備し、
前記磁化自由層は、
複数の強磁性層を含み、且つ、前記複数の強磁性層の隣接する2つの強磁性層が非磁性層を介して反平行結合されるように構成された第1の反平行結合積層フェリ構造体と、
強磁性を示す第1の反転誘導層
とを備え、
前記第1の反転誘導層は、前記第1の反平行結合積層フェリ構造体と強磁性結合され、且つ、反転磁場が前記第1の反平行結合積層フェリ構造体の反平行結合が外れ始める磁場よりも小さくなるように構成された
磁気抵抗素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01F 10/32
H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
, H01F10/32
5E049AC05
, 5E049AC10
, 5E049CB02
, 5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083GA15
