特許
J-GLOBAL ID：200903052131660605

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
福住 嘉晃

福住 嘉晃 について

, 
甲斐 正

甲斐 正 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-214755
公開番号（公開出願番号）：特開2006-040960
出願日： 2004年07月22日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 誤書き込みを抑制しつつ、書き込み電流の低減を図る。【解決手段】 磁気ランダムアクセスメモリは、記録層30と固定層10と記録層及び固定層間に設けられた中間非磁性層20とを有する磁気抵抗素子1を備えた磁気ランダムアクセスメモリである。記録層は、中間非磁性層上に形成された第1の強磁性層31と、第1の強磁性層上に形成された第1の非磁性層32と、第1の非磁性層上に形成され、第1の非磁性層を介して第1の強磁性層と第1の磁気結合により磁気的に結合する第2の強磁性層33と、第2の強磁性層上に形成された第2の非磁性層34と、第2の非磁性層上に形成され、第2の非磁性層を介して第2の強磁性層と第2の磁気結合により磁気的に結合する第3の強磁性層35とを具備する。第1の磁気結合が反強磁性結合であり、かつ第2の磁気結合が強磁性結合である場合、又は、第1の磁気結合が強磁性結合であり、かつ第2の磁気結合が反強磁性結合である場合のどちらかである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
記録層と固定層と前記記録層及び前記固定層間に設けられた中間非磁性層とを有する磁気抵抗素子を備えた磁気ランダムアクセスメモリであって、 前記記録層は、 前記中間非磁性層上に形成された第1の強磁性層と、 前記第1の強磁性層上に形成された第1の非磁性層と、 前記第1の非磁性層上に形成され、前記第1の非磁性層を介して前記第1の強磁性層と第1の磁気結合により磁気的に結合する第2の強磁性層と、 前記第2の強磁性層上に形成された第2の非磁性層と、 前記第2の非磁性層上に形成され、前記第2の非磁性層を介して前記第2の強磁性層と第2の磁気結合により磁気的に結合する第3の強磁性層と を具備し、 前記第1の磁気結合が反強磁性結合であり、かつ前記第2の磁気結合が強磁性結合である場合、又は、前記第1の磁気結合が強磁性結合であり、かつ前記第2の磁気結合が反強磁性結合である場合のどちらかである ことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01L43/08 Z
Fターム (10件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA15 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6,545,906号明細書
審査官引用 (4件)
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