フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子 | 特許情報

【要約】【課題】シリレーション工程を利用してフォトレジストパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】下記式(1)又は式(2)の架橋剤を含むフォトレジスト組成物を、各工程の温度及び時間等の条件を最適化した本発明のTSI(Top Surface Imaging)工程に用いる。【化1】

(a)架橋剤、光酸発生剤、フォトレジスト重合体及び有機溶媒を含む化学増幅型フォトレジスト組成物を製造する段階、(b)基板上に前記フォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する段階、(c)前記フォトレジスト膜を露光する段階、(d)前記露光されたフォトレジスト膜の表面にシリレーション(silylation)工程を行いシリコン酸化膜パターンを形成する段階、(e)前記フォトレジスト膜を現像してパターンを形成する段階、及び(f)前記シリコン酸化膜パターンを食刻マスクにし、基板を食刻する段階とを含むフォトレジストパターン形成方法において、前記架橋剤は下記式(1)及び式(2)の化合物からなる群より選択された架橋単量体を含むことを特徴とするフォトレジストパターン形成方法。【化1】前記式で、R1及びR2はそれぞれ同じか異なり、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアセタール、一つ以上のヒドロキシ基を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、一つ以上のヒドロキシ基を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエステル、一つ以上のヒドロキシ基を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたケトン、一つ以上のヒドロキシ基を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたカルボン酸、及び一つ以上のヒドロキシ基を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアセタールからなる群より選択されたものであり、R3は水素又はメチルである。【化2】前記式で、R5、R6及びRはそれぞれ同じか異なり、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアセタール、一つ以上のヒドロキシ基を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、一つ以上のヒドロキシ基を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエステル、一つ以上のヒドロキシ基を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたケトン、一つ以上のヒドロキシ基を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたカルボン酸、及び一つ以上のヒドロキシ基を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアセタールからなる群より選択されたものであり、R7は水素又はメチルであり、mは0又は1であり、nは2〜10の中から選択された整数である。

G03F 7/039 601 , C08F 2/48 , C08F 12/24 , C08F 16/14 , C08F 16/38 , C08F 24/00 , C08F220/18 , C08F222/06 , C08K 5/00 , C08K 5/06 , C08K 5/156 , C08L 25/18 , C08L101/00 , G03F 7/027 501 , G03F 7/38 512 , H01L 21/027

G03F 7/039 601 , C08F 2/48 , C08F 12/24 , C08F 16/14 , C08F 16/38 , C08F 24/00 , C08F220/18 , C08F222/06 , C08K 5/00 , C08K 5/06 , C08K 5/156 , C08L 25/18 , C08L101/00 , G03F 7/027 501 , G03F 7/38 512 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 568

出願人引用 (4件)

特開平4-287047
感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-338902 出願人：三菱化学株式会社, コニカ株式会社
アセタール基により置換された芳香族ヒドロキシ化合物及びこれを含有するネガティブ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-254773 出願人：クンホセオキュホアハクジュシクヘサ

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