特許
J-GLOBAL ID：200903058490179660
マスクの形成方法、グレーティング、マスク、パターン形成方法、光学素子、及び半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 史旺
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-057712
公開番号（公開出願番号）：特開2005-249947
出願日： 2004年03月02日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 型押し加工における被加工物のパターンを型のパターンよりも微細化する。【解決手段】 本発明のマスクの形成方法は、変形可能または弾性を有する有機物層上に、剪断可能な膜を形成する工程と、表面にパターンが形成された型を膜に押圧し、パターンの境界部により膜の一部を剪断加工した後、型を膜から離す工程と、膜における剪断加工された部分を除去する工程とを有する。型のパターンが例えばラインアンドスペースであれば、凸部の細長く延在する平坦な面における両端の線が、パターンの境界部となる。即ち、ラインがX本であれば、境界線は2X本であり、膜には2X本の剪断加工の跡が残される。従って、剪断加工された部分を除去した膜をマスクとして加工すれば、被加工物には2X本のラインが形成される。このように本発明では、型押し加工において、被加工物のパターンを型のパターンよりも微細にできる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
変形可能または弾性を有する有機物層上に、剪断可能な膜を形成する工程と、
表面にパターンが形成された型を前記膜に押圧することで、前記パターンの境界部により前記膜の一部を剪断加工した後、前記型を前記膜から離すプレス工程と、
前記膜における剪断加工された部分を除去する選択的除去工程と
を有することを特徴とするマスクの形成方法。
IPC (5件)：
G03F1/08
, G03F7/20
, H01L21/027
, H01L21/3065
, H01S5/34
G03F1/08 A
, G03F7/20 501
, G03F7/20 521
, H01S5/34
, H01L21/30 502P
, H01L21/302 105A
2H095BB27
, 2H095BB31
, 2H097LA10
, 5F004DB01
, 5F004EA08
, 5F004EA23
, 5F004EB08
, 5F173AG05
, 5F173AP33
, 5F173AP35
, 5F173AP42
, 5F173AP47
, 5F173AQ10
, 5F173AR92
