特許
J-GLOBAL ID：200903058534050821

アクティブマトリクス方式表示装置及びその製造方法

発明者：
ドナルド ルポ

ドナルド ルポ について

, 
安田 章夫

安田 章夫 について


出願人/特許権者：
ソニー インターナショナル (ヨーロッパ) ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

ソニー インターナショナル (ヨーロッパ) ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-291587
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173770
出願日： 1999年10月13日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 安定した陰極材料を用いると同時に、高解像度及び高開口率を実現する。【解決手段】 基板1上に、TFT2、絶縁パシベーション層3、平坦化層4、陰極層5及び高分子層6を積層し、基板8上に陽極層7及び高分子層9を積層し、高分子層6と高分子層9とを重ね合わせ、熱及び/又は圧力を印加する。
請求項（抜粋）：
複数の画素から構成されるアクティブマトリクス方式表示装置の製造方法において、第1の基板の各画素に対応する各領域に、ソース電極とドレイン電極とチャンネル領域とを有する少なくとも1つの薄膜トランジスタ素子を形成する工程と、上記薄膜トランジスタ素子のソース電極とチャンネル領域とを覆うとともに、ドレイン電極の一部又は全部が露出するように絶縁パシベーション層を成膜する工程と、上記薄膜トランジスタ素子の少なくとも一部を覆うように複数の画素電極領域からなる陰極材料層を成膜する工程と、上記陰極材料層上に、少なくとも上記画素電極領域を覆うように第1の活性有機及び/又は高分子エレクトロルミネセンス材料層を成膜する工程と、第2の基板に陽極層を成膜する工程と、上記陽極層上に第2の活性有機及び/又は高分子エレクトロルミネセンス材料層を成膜する工程と、上記第1の基板上に設けられた第1の活性有機及び/又は高分子エレクトロルミネセンス材料層と上記第2の基板上に設けられた第2の活性有機及び/又は高分子エレクトロルミネセンス材料層とを積層し、上記第1及び/又は第2の活性有機及び/又は高分子エレクトロルミネセンス材料層が高分子エレクトロルミネセンス材料から形成されているときは、少なくとも一方がガラス転移温度を超えるように一定時間熱/及び又は圧力を加え、上記第1及び/又は第2の活性有機及び/又は高分子エレクトロルミネセンス材料層が結晶エレクトロルミネセンス材料から形成されているときは、少なくとも一方が固相から液晶状態又は等方性状態に転移する相転移温度を超えるように一定時間熱/及び又は圧力を加える工程とを有するアクティブマトリクス方式表示装置の製造方法。
IPC (9件)：
H05B 33/10 ,  G09F 9/00 342 ,  G09F 9/30 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26
FI (8件)：
H05B 33/10 ,  G09F 9/00 342 C ,  G09F 9/30 C ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 B ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 A ,  H01L 29/78 612 D
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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