高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：小島隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-383217
公開番号（公開出願番号）：特開2002-179731
出願日： 2000年12月18日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される基を有する高分子化合物。【化1】(式中R1、R2は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、又はフッ素化されたアルキル基であり、R1、R2の少なくとも1つはフッ素を含有する。Rは炭素数3〜20の少なくとも1つの環により形成される環状アルキル基を示す。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れているうえに、エステル側鎖の環状アルキル基の導入によりプラズマエッチング耐性が向上し、それと同時に優れた解像性を有することがわかった。従って本発明のレジスト材料は、これらの特性により、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となりうるもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される基を有する高分子化合物。【化1】(式中R1、R2は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、又はフッ素化されたアルキル基であり、R1、R2の少なくとも1つはフッ素を含有する。Rは炭素数3〜20の少なくとも1つの環により形成される環状アルキル基を示す。)

IPC (9件)：

C08F 20/16 , C08F 22/18 , C08F 22/40 , C08F 32/08 , C08K 5/00 , C08L 33/06 , C08L 35/02 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (9件)：

C08F 20/16 , C08F 22/18 , C08F 22/40 , C08F 32/08 , C08K 5/00 , C08L 33/06 , C08L 35/02 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (69件)：

2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BF11 , 2H025BG00 , 2H025CB43 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J002BG041 , 4J002BG051 , 4J002BG071 , 4J002EB116 , 4J002EB146 , 4J002EJ038 , 4J002EJ058 , 4J002EJ068 , 4J002EN027 , 4J002EN067 , 4J002EN107 , 4J002EN117 , 4J002EU137 , 4J002EV216 , 4J002EV296 , 4J002GP03 , 4J100AL08P , 4J100AL08T , 4J100AL46S , 4J100AM21T , 4J100AM47R , 4J100AR09Q , 4J100BA02Q , 4J100BA02R , 4J100BA02S , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA03S , 4J100BA03T , 4J100BA16H , 4J100BA20Q , 4J100BA20R , 4J100BA20S , 4J100BA40T , 4J100BA43S , 4J100BB18P , 4J100BC03P , 4J100BC09P , 4J100BC26P , 4J100BC26T , 4J100BC28P , 4J100BC43Q , 4J100BC43R , 4J100BC53T , 4J100BC60Q , 4J100BC60R , 4J100BC60S , 4J100BC60T , 4J100BC65T , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100HA08 , 4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平2-202904
化学増幅型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-332641 出願人：住友化学工業株式会社

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