特許
J-GLOBAL ID：200903058546138740
半導体装置および半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-089453
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274563
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 単結晶基板(例えばサファイア基板)上に直接GaN系薄膜の結晶成長した場合に生じる結晶性の悪化を防止できるとともに、単結晶基板上へのGaNなどの結晶成長の工程を2回以上に分割することによるコスト上昇および派生的に生じる結晶性の悪化を有効に防止することの可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 単結晶基板101上に少なくとも窒化ガリウム(GaN)を含むGaN系化合物半導体膜106を有する半導体装置において、単結晶基板101とGaN系化合物半導体膜106との間に、成長速度が異なるGaN系化合物半導体の領域102,103が単結晶基板101の表面に選択的に形成されている。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に少なくとも窒化ガリウム(GaN)を含むGaN系化合物半導体膜を有する半導体装置において、単結晶基板とGaN系化合物半導体膜との間に、成長速度が異なるGaN系化合物半導体の領域が単結晶基板の表面に選択的に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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