特許

J-GLOBAL ID：200903058560140715

薄膜形成用スパッタリングターゲット材及びその製造方法

発明者： 村田 英夫
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-201447
公開番号（公開出願番号）：特開2004-043868
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】電子デバイスに要求される膜特性である低い電気抵抗と高い反射率、耐熱性、耐食性、そして基板への密着性を兼ね備えたAg合金膜を安定的、かつ均一に形成するための薄膜形成用スパッタリングターゲット材及びその製造方法を提供する。【解決手段】Agを主体とし、希土類元素を0.02〜2原子%含有するAg合金系スパッタリングターゲットであって、Agを主体とする基地中に、希土類元素とAgを主体とする化合物相が分散した金属組織を有し、前記金属組織において、長径1μm以上の前記化合物相を含まない領域の最大内接円径が150μmを越えないAg合金系スパッタリングターゲット材である。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

Agを主体とし、希土類元素を0.02〜2原子%含有するAg合金系スパッタリングターゲットであって、Agを主体とする基地中に、希土類元素とAgを主体とする化合物相が分散した金属組織を有し、前記金属組織において、長径1μm以上の前記化合物相を含まない領域の最大内接円径が150μmを越えないものであることを特徴とするAg合金系スパッタリングターゲット材。

IPC (6件)：

C23C14/34 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  H01L21/285 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26

FI (6件)：

C23C14/34 A ,  C22C5/06 C ,  C22F1/14 ,  H01L21/285 S ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z

Fターム (18件)：

3K007AB05 ,  3K007AB12 ,  3K007AB14 ,  3K007AB15 ,  3K007AB18 ,  3K007CC01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029AA09 ,  4K029BA22 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4M104BB08 ,  4M104BB39 ,  4M104DD40

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光情報記録媒体用の反射層または半透明反射層、光情報記録媒体及び光情報記録媒体用スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-395894   出願人：株式会社神戸製鋼所
• 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-109058   出願人：三菱マテリアル株式会社
• Al系スパッタリング用タ-ゲット材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-114391   出願人：日立金属株式会社