不揮発性半導体記憶装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-201497
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074379
出願日： 1997年07月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】データの書き換え寿命の向上を可能とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上のゲート酸化膜2上に形成されたポリシリコン膜3を開口部7を有するシリコン窒化膜4をマスクにして選択酸化して選択酸化膜9を形成し、該選択酸化膜9をマスクにして前記ポリシリコン膜3をエッチングして成るフローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、少なくとも前記シリコン窒化膜4の開口部7を被覆するように該開口部7下の前記ポリシリコン膜3上に化学気相成長法によりCVD酸化膜8を堆積させた後に、前記シリコン窒化膜4をマスクにして前記CVD酸化膜8下の前記ポリシリコン膜3を選択酸化して選択酸化膜9を形成するものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上のゲート酸化膜上に形成されたポリシリコン膜上に開口部を有する耐酸化性膜を形成した後に該耐酸化性膜をマスクにして前記ポリシリコン膜を選択酸化して選択酸化膜を形成し、該選択酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をエッチングして成るフローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、少なくとも前記耐酸化性膜の開口部を被覆するように該開口部下の前記ポリシリコン膜上に化学気相成長法により酸化膜を堆積させた後に該ポリシリコン膜の選択酸化を行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-143735 出願人：三洋電機株式会社

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