健全な膜の堆積方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：熊谷隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-269340
公開番号（公開出願番号）：特開平11-092950
出願日： 1997年09月16日
公開日（公表日）： 1999年04月06日
要約：

【要約】【課題】堆積後の膜に不都合な内部応力が発生するのを未然に防止することができる健全な膜の堆積方法及び装置を提供すること。【解決手段】半導体ウエハ100等の基材に予め所定の変位量の弾性変形を与えた状態で、基材の表面に成膜液(メッキ液)25aを用いてメッキを所定の厚さになるまで堆積する。成膜完了後に基材の弾性変形を解除して変形前の無変形状態の形状に戻す。即ち基材に予め成膜によって生じる内部応力と逆向きの応力を生じる変形を与えておき、この状態でその表面に成膜を行なうので、成膜後に該変形を解放することによって堆積膜に生じる内部応力の大部分又は一部を相殺し、これによって健全な膜を得る。

請求項（抜粋）：

基材の表面を構成する材料とは異なる材料からなる膜材料を該基材の表面に堆積することによって成膜を行なう膜の堆積方法において、前記基材に予め所定の変位量の弾性変形を与えた状態で、該基材の表面に前記膜材料を所定の厚さになるまで堆積し、成膜完了後に前記基材の弾性変形を解除して変形前の無変形状態の形状に戻すことを特徴とする健全な膜の堆積方法。

IPC (5件)：

C23C 18/16 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/288

FI (6件)：

C23C 18/16 B , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 21/285 C , H01L 21/285 S , H01L 21/288 Z

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭58-151466
特開昭58-182822
特開平1-137638

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