電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-282731
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111204
出願日： 2007年10月31日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：

【課題】シートキャリア濃度を向上させると共に、シートキャリア濃度の向上効果を有効に利用する電界効果トランジスタを実現できるようにする。【解決手段】電界効果トランジスタは、基板11の上に形成された第1の窒化物半導体層13と、第1の窒化物半導体層13の上に形成され、第1の窒化物半導体層13と比べてバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層14と、第2の窒化物半導体層14の上に形成された結晶性の窒化シリコンからなる第1の絶縁膜15と、第1の絶縁膜15の上に形成された第2の絶縁膜16とを備えている。第2の絶縁膜16の上には、ゲート電極21が形成されている。ゲート電極21の両側方にはソース電極22及びドレイン電極22が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上に形成された第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に形成され、前記第1の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層と、前記第2の窒化物半導体層の上に形成され、結晶性の窒化シリコンからなる第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上に形成され、非晶質の第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側方に形成されたソース電極及びドレイン電極とを備えていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 21/283 , H01L 21/318

FI (5件)：

H01L29/80 H , H01L21/28 301B , H01L21/283 B , H01L21/318 B , H01L21/318 M

Fターム (50件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE11 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF04 , 4M104FF07 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG12 , 4M104HH20 , 5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC08 , 5F058BD01 , 5F058BD10 , 5F058BE10 , 5F058BF02 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BF36 , 5F058BJ01 , 5F102FA02 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GN08 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102GV09

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-362426 出願人：日本電信電話株式会社

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