特許
J-GLOBAL ID：200903058634922230

半導体レーザ装置

発明者：
伊藤 茂稔

伊藤 茂稔 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-305484
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145562
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ダイボンディング工程時に、アライメントずれが発生せず、さらには、ショートも防止される、片面に正負電極が形成されるレーザチップを用いた、半導体レーザ装置を得る。【解決手段】 片面に複数の電極203,204を有する半導体レーザチップ200が、該各電極に対向する導電膜パターン102,103を積載面上に有したマウント部材101に、積載されて構成される半導体レーザ装置であって、各電極と、これに対向する導電膜パターンとが、それぞれハンダ104,105で接続され、該半導体レーザチップが、該マウント部材に、樹脂106を含む絶縁体により固定されるように構成する。
請求項（抜粋）：
片面に複数の電極を有する半導体レーザチップが、該各電極に対向する導電膜パターンを積載面上に有したマウント部材に、積載されて構成される半導体レーザ装置であって、各電極と、これに対向する導電膜パターンとが、それぞれハンダで接続され、該半導体レーザチップが、該マウント部材に、樹脂を含む絶縁体により固定されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (4件)
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