特許

J-GLOBAL ID：200903058648841500

窒化シリコン酸化物ゲート誘電体を製造する方法

発明者： バーナム、ジェイ、エス ,  ナコス、ジェームス、エス ,  クインリバン、ジェームス、ジェイ ,  ローク、バーニー、ジュニア ,  シャンク、スティーブン、エム ,  ウォード、ベス、エイ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (4件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史 ,  太佐 種一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-524848
公開番号（公開出願番号）：特表2007-504652
出願日： 2004年08月26日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：

【課題】 ウェハ内における相対的に均一な厚さ及び窒素濃度を有するSiOxNy層を製造する方法を提供すること。【解決手段】 基板を準備するステップと、該基板の上面に二酸化シリコン層を形成するステップと、還元雰囲気内でプラズマ窒化を実行し、該二酸化シリコン層を酸窒化シリコン層に変換するステップとを含む、ゲート誘電体層を製造する方法である。このように形成された誘電体層を、MOSFETの製造において用いることができる。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

ゲート誘電体層を製造する方法であって、 基板を準備するステップと、 前記基板の上面に二酸化シリコン層を形成するステップと、 還元雰囲気内でプラズマ窒化を実行し、前記二酸化シリコン層を酸窒化シリコン層に変換するステップと を含む方法。

IPC (5件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L21/318 C ,  H01L21/316 M ,  H01L21/318 M ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617T

Fターム (50件)：

5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF74 ,  5F058BH04 ,  5F058BH05 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA26 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE31 ,  5F110EE45 ,  5F110FF04 ,  5F110FF06 ,  5F110FF23 ,  5F110FF26 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM15 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD09 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG31 ,  5F140BG38 ,  5F140BG43 ,  5F140BH15 ,  5F140BK13 ,  5F140CF07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高K誘電体を有するゲート積層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-200830   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド