特許

J-GLOBAL ID：200903058662234013

不揮発性半導体記憶装置とその消去検証方法

発明者： 長縄 浩司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-342850
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173279
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性メモリセルの消去検証を短時間で行うことを可能にした不揮発性半導体記憶装置とその消去検証方法を提供する。【解決手段】 不揮発性メモリセルに対して書き込み及び消去を行ない、かつ当該メモリセルが所定のレベル状態であるか否かを判定する消去検証処理を1メモリセル毎に順次行う(S201〜S204)とともに、所定のレベルに達していないメリセルの個数をカウントし(S207)、そのカウント値Nがメモリセルとの切り替えが可能な冗長メモリセルの数に対応して設定される設定値Mを越えるまでは(S208)、順次次のメモリセルに対する消去検証処理を継続し(S205,S206)、前記カウント値が前記設定値Mを越えたときは、全メモリセルに対する消去検証処理を最初からやり直す(S201〜)。メモリセルに対する消去の繰り返し回数を最小限の数に抑えることができ、消去検証処理の時間を短縮し、かつメモリセルの過剰消去を抑制して書き戻し処理の処理時間を短縮する。

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリセルと、前記メモリセルと切り替え可能な冗長メモリセルと、前記不揮発性メモリセルに書き込みを行い、かつその後に消去を行う手段と、前記不揮発性メリモの消去状態を1メモリセル毎に順次検証する消去検証手段と、所定の消去状態にないメモリセルをカウントするカウント手段と、前記カウント手段のカウント値を前記冗長メモリセル数に基づいて設定された設定値と比較する比較手段と、前記比較手段における比較結果に基づいて前記消去検証手段、前記カウント手段、及び前記比較手段を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記カウント値が前記設定値を越えるまでは前記消去検証手段、前記カウント手段及び前記比較手段を、次に検証するメモリセルに対して実行する制御を行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (3件)：

G11C 17/00 601 B ,  G11C 17/00 612 B ,  G11C 17/00 639 B

Fターム (5件)：

5B025AA01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD08 ,  5B025AD13 ,  5B025AE05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不輝発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-079611   出願人：日本電気株式会社