特許
J-GLOBAL ID：200903058665049632

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
梶本 実利

梶本 実利 について

, 
野口 充宏

野口 充宏 について

, 
前嶋 洋

前嶋 洋 について

, 
原 毅彦

原 毅彦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-379988
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142493
出願日： 2003年11月10日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】ソース配線パターン及びレイアウトを工夫し、配線抵抗を改善する。【解決手段】互いに平行に形成されたデータ選択線WLと、互いに平行に配列されたデータ転送線BLとの交差部に配置された電気的書き換え可能なメモリセルを備えるメモリセルユニットと、メモリセルユニットが複数個データ選択線方向に配置されたメモリセルアレイブロックと、メモリセルユニット間に配置され、メモリセルユニットの一端に接続され、データ選択線WL方向に配列された第一のソース線SL0と、第一のソース線SL0と電気的に接続され、第一のソース線SL0上方および/若しくはメモリセルアレイ上方において、データ選択線WL方向に配置された複数の第ニのソース線SL2とを備える不揮発性半導体記憶装置であり、更に、電源配線と第二のソース線SL2との間に配置された第一のトランジスタを備え、或いは、チップ片側にのみ電源配線パッド配置してもよい。 【選択図】図5
請求項（抜粋）：
互いに平行に形成された複数のデータ選択線,前記複数のデータ選択線と交差し、互いに平行に配列された複数のデータ転送線,および前記複数のデータ転送線と前記複数のデータ選択線の交差部に配置され、電気的に書き換え可能なメモリセルを備える複数のメモリセルユニットと、 前記メモリセルユニットが複数個前記データ選択線方向に配置されたメモリセルアレイブロックと、 前記複数のメモリセルユニットの一端に共通に接続され、前記複数のデータ選択線方向に配列された複数の第一のソース線と、 前記複数の第一のソース線と電気的に接続され、前記複数のデータ選択線方向に配置された複数の第ニのソース線 とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L21/8247 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (3件)：
H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/88 Z
Fターム (85件)：
5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN20 ,  5F033NN32 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR25 ,  5F033UU04 ,  5F033VV16 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX08 ,  5F033XX10 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP76 ,  5F083EP79 ,  5F083ER22 ,  5F083GA02 ,  5F083GA30 ,  5F083HA02 ,  5F083JA32 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083KA11 ,  5F083KA12 ,  5F083KA13 ,  5F083KA14 ,  5F083LA18 ,  5F083LA20 ,  5F083LA27 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA07 ,  5F101BA46 ,  5F101BB05 ,  5F101BD34 ,  5F101BD50 ,  5F101BE07 ,  5F101BH23 ,  5F101BH30
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-212765   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (2件)
  • 特開平4-014255
  • 特開平3-283662

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