特許
J-GLOBAL ID：200903058678856774

ヒドロキシトリアリールアミン誘導体の製造法、及びそれを用いたトリアリールアミン骨格を有する(メタ)アクリレート類の製造法

発明者：
西山 正一

西山 正一 について

, 
江口 久雄

江口 久雄 について


出願人/特許権者：
東ソー株式会社

東ソー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-019770
公開番号（公開出願番号）：特開2003-221368
出願日： 2002年01月29日
公開日（公表日）： 2003年08月05日
要約：
【要約】【課題】 ヒドロキシトリアリールアミン誘導体、及びトリアリールアミン骨格を有する(メタ)アクリレート類の環境的にも経済的にも好ましい簡便な製造方法を提供する。【解決手段】 ハロゲン化アルコキシベンゼンとジアリールアミンを三級ホスフィン類とパラジウム化合物を必須成分とする触媒と塩基の存在下反応させ、得られた化合物を酸触媒の存在下脱保護し、得られたヒドロキシトリアリールアミン誘導体を更に(メタ)アクリル酸誘導体と塩基の存在下反応させる。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)【化1】(式中、Xは塩素、臭素又はヨウ素を表し、R1は置換基を有してもよい炭素数1〜8の直鎖状、分岐状若しくは環状アルキル基、ベンジル基、又はテトラハイドロピラニル基を表す)で示されるハロゲン化アルコキシベンゼンと下記一般式(2)【化2】(式中、Ar1及びAr2は各々独立して置換若しくは無置換のアリール基を表す)で示されるジアリールアミンを三級ホスフィン類とパラジウム化合物を必須成分とする触媒及び塩基の存在下反応させ、得られた化合物を酸触媒の存在下脱保護することを特徴とする下記一般式(3)【化3】(式中、Ar1及びAr2は各々独立して置換若しくは無置換のアリール基を表す)で示されるヒドロキシトリアリールアミン誘導体の製造法。
IPC (5件)：
C07C213/02 ,  C07C213/06 ,  C07C215/76 ,  C07C219/34 ,  C07B 61/00 300
FI (5件)：
C07C213/02 ,  C07C213/06 ,  C07C215/76 ,  C07C219/34 ,  C07B 61/00 300
Fターム (23件)：
4H006AA02 ,  4H006AC42 ,  4H006AC48 ,  4H006AC52 ,  4H006AC80 ,  4H006BA25 ,  4H006BA32 ,  4H006BA37 ,  4H006BA40 ,  4H006BA41 ,  4H006BA53 ,  4H006BA66 ,  4H006BA92 ,  4H006BJ50 ,  4H006BN30 ,  4H006BT16 ,  4H006BU46 ,  4H039CA60 ,  4H039CA66 ,  4H039CA71 ,  4H039CD10 ,  4H039CD20 ,  4H039CD90
引用特許：
審査官引用 (1件)
  • 有機電界発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-147875   出願人：三菱化学株式会社
引用文献：
審査官引用 (4件)
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