特許
J-GLOBAL ID：200903058699225073

光学的情報記録媒体及びその製造方法

発明者：
苅屋田 英嗣

苅屋田 英嗣 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-318104
公開番号（公開出願番号）：特開2005-025910
出願日： 2003年09月10日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】 屈折率が低く高速で成膜可能な第2の誘電体層を備えた光学的情報記録媒体及びこの光学的情報記録媒体を生産性よく製造することができる製造方法を提供する。 【解決手段】 透明基板1上に、ZnS-SiO2からなる第1誘電体層2、酸窒化シリコンからなる第2誘電体層3、ZnS-SiO2からなる第3誘電体層4、GeNからなる第1界面層5、Ge2Sb2Te5からなる記録層6、GeNからなる第2界面層7、ZnS-SiO2からなる第4誘電体層8、反射層9をこの順に積層する。第2誘電体層3は、Arガス、O2ガス及びN2ガスからなる混合ガス雰囲気中において、反応性スパッタリングにより成膜する。そして、第2誘電体層3の屈折率を、第1誘電体層2及び第3誘電体層4の屈折率よりも低くし、記録層6の非晶質状態における光吸収率を、結晶状態における光吸収率よりも低くする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に形成された第1の誘電体層と、この第1の誘電体層上に反応性スパッタリング法により形成された酸窒化物からなりその屈折率が前記第1の誘電体層の屈折率よりも小さい第2の誘電体層と、この第2の誘電体層上に形成されその屈折率が前記第2の誘電体層の屈折率よりも大きい第3の誘電体層と、この第3の誘電体層上に形成され外部から入力される光により相状態が非晶質状態又は結晶状態とされることにより情報を記録する記録層と、を有し、前記基板側から光を入射させたときに、前記記録層の相状態が非晶質状態であるときの前記光の吸収率が、前記相状態が結晶状態であるときの前記光の吸収率よりも低いことを特徴とする光学的情報記録媒体。
IPC (2件)：
G11B7/24 ,  G11B7/26
FI (5件)：
G11B7/24 534N ,  G11B7/24 522A ,  G11B7/24 535C ,  G11B7/24 535H ,  G11B7/26 531
Fターム (7件)：
5D029LA17 ,  5D029LB11 ,  5D029LC06 ,  5D121AA04 ,  5D121EE03 ,  5D121EE09 ,  5D121EE17
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 相変化光記録媒体
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-260575   出願人：株式会社東芝
  • 相変化光ディスク
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-298794   出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (3件)

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