特許
J-GLOBAL ID：200903058709646854
半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-000175
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186396
出願日： 1996年01月05日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 p及びn側のコンタクト電極が形成が容易で,かつ,高出力時に端面劣化が無く安定動作する半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 レーザ光が共振器端面より出射される半導体レーザ素子において,p及びn側のコンタクト電極が形成された後に超高真空中で勢開して共振器端面31,32を形成し,共振器端面31,32が酸化する前に共振器端面31,32にIII -V族化合物半導体材料のアモルフアス層21,22からなる酸化防止層を堆積することによって,酸化に伴った表面準位の増加を抑制する。
請求項（抜粋）：
レーザ光が共振器端面より出射される半導体レーザ素子を製造する方法において,前記半導体レーザ素子のp及びn側コンタクト電極が形成された後に,超高真空中での劈開によって共振器端面を形成し,前記共振器端面が酸化する前に超高真空中で共振器端面をIII -V族化合物半導体材料のアモルファス層及び誘電材料の誘電体膜の内の少なくとも1種からなる被覆層で被覆することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
引用特許：
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