特許

J-GLOBAL ID：200903058719409257

気相成長装置

発明者： 赤川 慶一 ,  片岡 敬 ,  原口 貴史 ,  佐藤 裕輔
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-026352
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244114
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 良質な薄膜を気相成長させることが可能で、かつ、安全性に優れた気相成長装置を提供すること。【構成】 反応炉1内に、回転支持体2の一端に支持されたサセプタ3が配設され、サセプタ3上には基板4が載置され、サセプタ3の下部には、サセプタ3を介して基板4を加熱するための加熱手段としてヒータ9が取り付けられ、また、基板4を一定温度に維持すべく、その温度測定を行うために、サセプタ3の中心下部に凹部11を設け、この凹部11に温度測定手段として先端部からヒータ9の近傍にかけての外周に、保護カバー19が設けられた熱電対12が挿入されており、この熱電対12は、温度コントローラ13に接続され、その出力をもとに、この温度コントローラ13によってヒータ9の温度制御が行われることを特徴とする気相成長装置。

請求項（抜粋）：

反応炉内に配設されるサセプタと、このサセプタに支持される基板と、この基板及び前記サセプタを加熱するための加熱手段と、前記サセプタの温度を測定するために前記サセプタの近傍に設けられる温度測定手段とを備え、この温度測定手段の出力により前記加熱手段による加熱を制御しつつ、前記基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記温度測定手段の外周に前記加熱手段による熱を遮断するための部材を設けることを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-167231   出願人：株式会社東芝