半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-294502
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135743
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】キャパシタの製造工程において、酸素を含まない雰囲気中での加熱処理によってTiN膜107からTiO2 膜109を形成することを可能にし、これによって、加熱処理時に下部電極106を形成するポリシリコンが酸化されることを防止する。【解決手段】シリコンウェハ101上に、下部電極106を形成した後、TiN膜107とRuO2 膜108とを形成し、さらに、このSiウェハ101を酸素を含まない雰囲気中で加熱処理する。そして、これによって、TiO2 膜109からなる誘電体膜と、Ru膜110からなる上部電極とを得る。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された下部電極と、この下部電極を覆うように形成された酸化誘電体膜と、この酸化誘電体膜上に形成された上部電極とを備えたキャパシタを有する半導体装置の製造方法において、前記酸化誘電体膜を形成するための被酸化物質を含有する酸化誘電体膜形成用薄膜と、この酸化誘電体膜形成用薄膜に酸素を供給するための酸素供給用薄膜とを少なくとも有する積層構造を形成する第1工程と、前記積層構造を酸素を含まない雰囲気中で加熱処理することによって、前記酸素供給用薄膜から前記酸化誘電体膜形成用薄膜に酸素を供給する第2工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

引用特許：

出願人引用 (2件)

強誘電体容量素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-235330 出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
薄膜コンデンサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-225870 出願人：新日本無線株式会社

審査官引用 (2件)

強誘電体容量素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-235330 出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
薄膜コンデンサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-225870 出願人：新日本無線株式会社

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