半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-108142
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293861
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】パンチスルーの回避とオン抵抗の低減との両立を図ることができるようにする。【解決手段】半導体基板1の表面側にはP型エピタキシャル層3が形成され、P型エピタキシャル層3の表層部に二重拡散によるN型の深いチャネル形成用不純物領域4およびP型の浅いソース領域5が形成されている。半導体基板1には溝6が形成され、溝6内においてソース領域5とP型エピタキシャル層3との間の表面部にゲート酸化膜7を介してポリシリコンゲート電極8が配置されている。ソース領域5の表層部に、ソース領域5の不純物濃度よりも高濃度なP+ 型領域11が形成され、P+ 型領域11に接するようにソース電極14が配置されている。半導体基板1の裏面にはドレイン電極15が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面側に形成された第1導電型の半導体領域の表層部に二重拡散による第2導電型の深いチャネル形成用不純物領域および第1導電型の浅いソース領域が形成されるとともに、前記第1導電型の半導体領域の表面部にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配置され、少なくとも前記ソース領域、前記第1導電型の半導体領域と前記ソース領域との間に形成されたチャネル形成領域、および前記第1導電型の半導体領域を通してソース・ドレイン間が導通可能な半導体装置であって、前記ソース領域の表層部に、当該ソース領域の不純物濃度よりも高濃度な第1導電型の高濃度領域を形成し、当該領域に接するようにソース電極を配置したことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 652 B , H01L 29/78 653 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-277436 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
特開昭60-028271
特開平3-195064

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