特許
J-GLOBAL ID：200903058753645091
酸化亜鉛薄膜の形成方法、それを用いた半導体素子基板の製造方法及び光起電力素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011291
公開番号（公開出願番号）：特開平11-286799
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 基板裏面への膜付着を防止し得る水溶液から電解析出による酸化亜鉛薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 亜鉛イオンを含有する水溶液202中に裏面膜付着防止電極214を設け、電位の関係が、対向電極204>基板203>裏面膜付着防止電極214となるように通電することを特徴とする。【効果】 太陽電池作成プロセスに応用することにより、太陽電池の短絡電流密度、変換効率の増加、さらに収率特性及び耐久性を向上させる。
請求項（抜粋）：
少なくとも亜鉛イオンを含有してなる単数もしくは複数の水溶液に浸漬された導電性基板と、該水溶液の少なくとも一つの中に浸漬された対向電極との間に通電し、酸化亜鉛薄膜を前記導電性基板上に形成する方法において、前記水溶液の少なくとも一つの中に1つ以上の裏面膜付着防止電極を浸漬し、該裏面膜付着防止電極、前記導電性基板及び対向電極の電位の関係が、「対向電極>導電性基板>裏面膜付着防止電極」または「対向電極<導電性基板<裏面膜付着防止電極」となるように通電することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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