特許

J-GLOBAL ID：200903058799872084

膜、および膜の形成方法

発明者： 塩田 淳 ,  黒澤 孝彦 ,  山田 欣司
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 白井 重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-012513
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203197
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、低誘電率、高弾性率のポリオルガノシロキサン系の膜を得る。【解決手段】 下記一般式(1)で表される構造からなり、かつ膜密度が0.5〜1.4g/cm<SP>3 </SP>であるポリオルガノシロキサン系の膜。SiOxCyHz・・・・・(1)(式中、1.3<x<1.9、0.2<y<8.0、0.6<z<7.0である。)

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される構造からなり、かつ膜密度が0.5〜1.4g/cm<SP>3 </SP>であることを特徴とする膜。SiOxCyHz・・・・・(1)(式中、1.3<x<1.9、0.2<y<8.0、0.6<z<7.0である。)

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  C09D 5/25 ,  C09D183/06 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/312 C ,  C09D 5/25 ,  C09D183/06 ,  H01L 21/316 G

Fターム (32件)：

4J038CG002 ,  4J038DD002 ,  4J038DE002 ,  4J038DF002 ,  4J038DL051 ,  4J038HA236 ,  4J038JA35 ,  4J038JC32 ,  4J038JC38 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038NA11 ,  4J038NA17 ,  4J038NA19 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  4J038PC03 ,  4J038PC08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 多孔質膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-135785   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 低誘電率シリカ質膜の形成方法及び同シリカ質膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-358611   出願人：東燃株式会社
• 特開平1-313528