特許
J-GLOBAL ID：200903070528648561

低誘電率シリカ質膜の形成方法及び同シリカ質膜

発明者：
清水 泰雄

清水 泰雄 について

, 
舟山 徹

舟山 徹 について


出願人/特許権者：
東燃株式会社

東燃株式会社 について


代理人 (1件)： 河備 健二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-358611
公開番号（公開出願番号）：特開平10-194719
出願日： 1996年12月28日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：
【要約】【課題】 例えば、半導体絶縁膜等に適用する場合にも、半導体回路等に悪影響を与えずに形成できる低誘電率シリカ質膜を形成する方法及び低誘電率シリカ質膜を提供すること。【解決手段】 ポリシラザン(変性物)塗膜に、?@無機酸又は有機酸単独、あるいは無機酸又は有機酸と水又は水蒸機を接触させる、?Aアミン単独、あるいはアミンと水又は水蒸気を接触させる、又は?Bアミン単独、あるいはアミンと水又は水蒸気を接触させ、続いて無機酸又は有機酸単独、あるいは無機酸又は有機酸と水又は水蒸気を接触させるという処理を行った後、引き続き加熱焼成する低誘電率シリカ質膜の形成方法並びにポリシラザン由来の密度が1〜1.8g/cm3である低誘電率シリカ質膜。
請求項（抜粋）：
主として下記一般式(I)【化1】(式中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、若しくはこれらの基以外でフルオロアルキル基等のケイ素に直結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基又はアルコキシ基を表す。但し、R1、R2及びR3の少なくとも1つは水素原子である。)で表される構造単位からなる骨格を有する数平均分子量が約100〜50,000のポリシラザン又はその変性物の塗膜に、無機酸又は有機酸単独、あるいは無機酸又は有機酸と水又は水蒸気を接触させ、引き続き加熱焼成することを特徴とする低誘電率シリカ質膜の形成方法。
IPC (2件)：
C01B 33/12 ,  H01L 21/316
FI (2件)：
C01B 33/12 C ,  H01L 21/316 G
引用特許：
審査官引用 (4件)
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