特許

J-GLOBAL ID：200903058813689832

冷陰極素子及びその製造方法

発明者： 米澤 喜幸 ,  近藤 健治 ,  川上 春雄 ,  深沢 直人
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-124140
公開番号（公開出願番号）：特開平9-185942
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】低い動作電圧で安定して電子放出を行い、さらには低真空においても作動する、生産性に優れた冷陰極素子及びその製造方法を得る。【解決手段】シリコン基板上に異方性エッチングにより形成した突起を型として用い、電鋳により Ni を堆積して表面にマトリックス状の突起を備えた Ni層9Aを製作し、さらに、DCスパッタ装置により、Cターゲットを用いて室温の Ar 雰囲気中で成膜を行い、 Ni 層9Aの表面に水素を含まないアモルファス状炭素膜2Bを形成して冷陰極素子の陰極部とする。

請求項（抜粋）：

陰極として印加された電界により電子を放出し、制御する冷陰極素子において、陰極部が、スパッタ法により形成された、水素を含まないアモルファス状炭素膜により覆われてなることを特徴とする冷陰極素子。

IPC (2件)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30

FI (2件)：

H01J 9/02 B ,  H01J 1/30 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電界放出型電子源およびアレイ状基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-301886   出願人：株式会社リコー
• 特開平4-106834
  
• 特開昭52-004162
  
• 特開昭52-120673