半導体記憶装置のデータ書き込み方法及び半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-038244
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324400
出願日： 2002年02月15日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】誤読み出し頻度をより少なくでき、かつデータ破壊の可能性も小さくなるデータ書き込み方法に対応可能な半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】第1メモリセルを有する第1メモリセルブロックに電気的に接続された第1データ転送線BL1と、第1メモリセルに隣接した第2メモリセルを有する第2メモリセルブロックに電気的に接続された第2データ転送線BL2と、データ再生可能なデータレジスタR1と、データレジスタR1に電気的に接続されたデータレジスタTR1,TR3と、N2ノードを、データレジスタTR1に保持されたデータに基づき、充電又は放電させる充電/放電回路10と、N2ノードとデータ転送線BL1,BL2のいずれかとを互いに電気的に接続する第1接続回路Q1,Q2と、データ再生可能なデータレジスタR2と、データレジスタR2とN2ノードとを互いに電気的に接続する第2接続回路Q5とを具備する。

請求項（抜粋）：

少なくとも1個の第1メモリセルを有する、データの再書き込みが可能な第1メモリセルブロックと、前記第1メモリセルに隣接した少なくとも1個の第2メモリセルを有する、データの再書き込みが可能な第2メモリセルブロックとを有する半導体記憶装置のデータ書き込み方法であって、前記第1メモリセルへのデータ書き込みを行い、前記第1メモリセルへのデータ書き込みに続けて、前記第2メモリセルへのデータ書き込みを行い、前記第2メモリセルへのデータ書き込みを行った後に、前記第1メモリセルのデータ判定を行い、前記データ判定の結果、前記第1メモリセルのデータが未達の場合に、前記第1メモリセルへのデータ再書き込みを行うことを特徴とする半導体記憶装置のデータ書き込み方法。

IPC (6件)：

G11C 16/02 , G11C 16/06 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (7件)：

G11C 17/00 611 A , G11C 17/00 641 , G11C 17/00 634 G , G11C 17/00 634 B , G11C 17/00 634 Z , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (50件)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD06 , 5B025AD08 , 5B025AD11 , 5B025AE08 , 5F083EP02 , 5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP44 , 5F083EP55 , 5F083EP76 , 5F083EP77 , 5F083EP79 , 5F083ER03 , 5F083ER21 , 5F083GA15 , 5F083HA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA33 , 5F083JA35 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083LA03 , 5F083NA01 , 5F083ZA21 , 5F101BA23 , 5F101BA26 , 5F101BA29 , 5F101BA35 , 5F101BA36 , 5F101BA45 , 5F101BC02 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BD39 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF05

引用特許：

出願人引用 (1件)

単一ビットセル及び多量ビットセル動作の同時的な遂行が可能な不揮発性半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-270957 出願人：三星電子株式会社

審査官引用 (1件)

単一ビットセル及び多量ビットセル動作の同時的な遂行が可能な不揮発性半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-270957 出願人：三星電子株式会社

前のページに戻る