特許

J-GLOBAL ID：200903058873257834

半導体装置の製造方法

発明者： 北川 勝彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077131
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274160
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 順テーパー形状を有する金属配線を形成する。【解決手段】 絶縁膜11上に形成した金属配線用膜上にハードマスクを形成し、該ハードマスクをホトレジスト膜17をマスクにして等方性エッチングして、該ホトレジスト膜17下までサイドエッチングされたハードマスク16Aを形成する。そして、前記ホトレジスト膜17及びハードマスク16Aをマスクにして金属配線用膜を異方性エッチングしてエッチングの初期では該ホトレジスト膜17形状に基づいてエッチングし、エッチングの進行に伴なってハードマスク16A形状に基づいてエッチングを行うことで、順テーパー形状の金属配線15Aを形成するものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜及び金属膜を形成し、該金属膜をホトレジスト膜を介してパターニングして成る金属配線を有する半導体装置の製造方法において、前記金属膜上にハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスク上にホトレジスト膜を形成した後に該ホトレジスト膜をマスクにして該ハードマスクを等方性エッチングして該ホトレジスト膜下までサイドエッチングする工程と、前記ホトレジスト膜及びハードマスクをマスクにして金属膜を異方性エッチングしてエッチングの初期では該ホトレジスト膜形状に基づいてエッチングし、エッチングの進行に伴なってハードマスク形状に基づいてエッチングを行うことで断面が順テーパー形状と成る金属配線を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-077344
  
• 特開昭63-304629
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-330416   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-119547