ガスセンサおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山本尚 , 中山千里
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-136972
公開番号（公開出願番号）：特開2006-317155
出願日： 2005年05月10日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：

【課題】基体上に形成した厚膜状のガス検知層と基体との間に導電性を有する密着層を形成し、ガス検知層の密着性を維持することができるガスセンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】発熱抵抗体5に対応する位置の保護層34上に、酸化物半導体からなる多孔質性のガス検知層4が形成される。また、ガス検知層4と保護層34との間には、ガス検知層4の主成分を主成分とした導電性の密着層7が薄膜形成される。厚膜形成されるガス検知層4は保護層34への密着性に劣るが、密着層7がガス検知層4の表面上の凹凸を埋めるように接触面全体に広がるため、両者の密着性は高められる。さらに密着層7とガス検知層4とは主成分が同じであり、互いの構成成分が混合されて混合層71を形成するため、密着性がより向上する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体上に厚膜状に形成される多孔質性のガス検知層を有するガスセンサであって、前記ガス検知層と前記基体との間に形成され、導電性を有する物質からなる密着層と、前記ガス検知層と前記密着層との間に形成され、前記ガス検知層を構成する物質と前記密着層を構成する物質とが混合された混合層とを備えたことを特徴とするガスセンサ。

IPC (1件)：

G01N 27/12

FI (1件)：

G01N27/12 B

Fターム (23件)：

2G046AA02 , 2G046AA05 , 2G046AA10 , 2G046AA11 , 2G046AA16 , 2G046AA22 , 2G046AA23 , 2G046AA24 , 2G046AA25 , 2G046BA01 , 2G046BA09 , 2G046BB02 , 2G046BB04 , 2G046BE03 , 2G046BE08 , 2G046EA02 , 2G046EA04 , 2G046EA11 , 2G046FB02 , 2G046FE31 , 2G046FE38 , 2G046FE39 , 2G046FE41

引用特許：

出願人引用 (1件)

熱型センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-265217 出願人：矢崎総業株式会社

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