半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-015652
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293605
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極による寄生容量を減らすことを課題とする。【解決手段】半導体基板1の表面にソース領域及びドレイン領域となる拡散層5が形成され、半導体基板1上にゲート絶縁膜6を介してゲート電極7が形成され、ゲート電極7上に層間絶縁膜9と配線層10がこの順で形成され、前記ゲート電極7がソース領域及びドレイン領域の少なくとも一部及びその間に位置するチャネル領域上に形成され、かつ、上記ゲート電極7と配線層10がゲート電極7上の層間絶縁膜9に形成されたコンタクトホール12を介して電気的に接続されてなることを特徴とする半導体装置及びその製造方法により上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面にソース領域及びドレイン領域となる拡散層が形成され、半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、ゲート電極上に層間絶縁膜と配線層がこの順で形成され、前記ゲート電極がソース領域及びドレイン領域の少なくとも一部及びその間に位置するチャネル領域上に形成され、かつ、上記ゲート電極と配線層がゲート電極上の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 F , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭54-004578
特開昭63-293980
特開昭54-087191

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