特許
J-GLOBAL ID：200903058932534049
フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、および、半導体素子。
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238931
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086726
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：
【要約】【課題】遠紫外線(DUV)領域の光源を利用したフォトリソグラフィー工程で使用可能なフォトレジスト単量体と、これを用いたフォトレジスト共重合体、及び、フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】下記(1)で示されるフォトレジスト単量体、及び、これを含むフォトレジスト共重合体である。【化1】前記式で、Rは、C1-C10の置換または非置換された直鎖または側鎖アルキルか、C1-C10の置換または非置換されたエーテルか、C1-C10の置換または非置換されたエステル、或いは、C1-C10の置換または非置換されたケトンであり、X及びYは、それぞれCH2、CH2CH2、酸素、または硫黄であり、iは0以上2以下のある定数である。
請求項（抜粋）：
下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト単量体。【化1】(前記式で、Rは、C1-C10の置換または非置換された直鎖または側鎖アルキルか、C1-C10の置換または非置換されたエーテルか、C1-C10の置換または非置換されたエステル、或いは、C1-C10の置換または非置換されたケトンであり、X及びYは、それぞれCH2、CH2CH2、酸素、または硫黄であり、iは0以上2以下のある定数である。)
IPC (2件)：
C08F 32/00
, G03F 7/039 601
C08F 32/00
, G03F 7/039 601
