特許

J-GLOBAL ID：200903058933366182

磁気センサおよびその製造方法

発明者： 鈴木 民人 ,  大橋 俊幸 ,  佐藤 秀樹 ,  飯島 健三郎
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085249
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006752
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】単一の基板上に三次元方向に交差するように配置された磁気抵抗効果素子を有する磁気センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】X軸磁気抵抗効果素子、Y軸磁気抵抗効果素子およびZ軸磁気抵抗効果素子と、これらの磁気抵抗効果素子が配される基板とを備え、これら3個の磁気抵抗効果素子が、各ピンド層の磁化の向きが互いに3次元方向に交差するように基板に配されている磁気センサ。基板は斜面を有する溝を備え、溝の内部に少なくとも1個の磁気抵抗効果素子を配置する。複数の帯状部と該複数の帯状部のうち隣接する2つを接続するバイアス磁石とからなる3個以上の磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子が配設される基板とを備え、3個以上の磁気抵抗効果素子のうち少なくとも1個は複数の帯状部が基板に互いに隣り合って平行に形成された複数の楔型溝の斜面上に配置されたものである磁気センサ。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

同一の3個以上の磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子が配設される単一基板と、前記磁気抵抗効果素子を構成する磁気抵抗効果膜の磁化の向きが、互いに三次元方向に交差するように形成されたことを特徴とする磁気センサ。

IPC (3件)：

H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  H01L43/12

FI (3件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  G01R33/06 R

Fターム (3件)：

2G017AA01 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-250875
  
• 磁界センサー及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-283070   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 磁気抵抗素子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-025460   出願人：矢崎総業株式会社
• 特開平1-250875