特許
J-GLOBAL ID：200903058958106533
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-115778
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283499
出願日： 1996年04月12日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 ガス供給ヘッド部をプラズマの電界集中が緩和できる構造として表面剥離を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器26と、この処理容器内に収容されて被処理体Wを載置する載置台30と、処理ガスを供給するために前記載置台に対向させて配置したガス供給ヘッド部48と、前記処理容器内にプラズマを発生させる高周波電力を供給する高周波電源42とを有するプラズマ処理装置において、前記ガス供給ヘッド部の下面に、リング状のガス噴出溝50を形成してその開口部を区画する面を曲面となるように構成する。これにより、ガス供給ヘッド部の下面におけるプラズマの電界集中を抑制する。
請求項（抜粋）：
真空引き可能になされた処理容器と、この処理容器内に収容されて被処理体を載置する載置台と、処理ガスを供給するために前記載置台に対向させて配置したガス供給ヘッド部と、前記処理容器内にプラズマを発生させる高周波電力を供給する高周波電源とを有するプラズマ処理装置において、前記ガス供給ヘッド部の下面に、リング状のガス噴出溝を形成してその開口部を区画する面を曲面となるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
H01L 21/3065
, C23C 14/34
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H05H 1/46
H01L 21/302 B
, C23C 14/34 M
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H05H 1/46 A
