特許

J-GLOBAL ID：200903058962270755

平坦化パターン生成装置

発明者： 川添 和則 ,  露木 輝久 ,  村上 隆子 ,  島崎 剛 ,  西脇 雪美
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233551
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094510
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】下層配線の状態を考慮し上層配線の配線不良を起こし易い部分のみ層間絶縁膜を平坦化する。【構成】入力処理部1は多層配線構造のレイアウトデータ及び多層配線構造で形成された上層配線の上層配線間隔条件及び下層配線の下層配線間隔条件よりなる生成条件を入力する。仮設定処理部2は下層配線上のグリッド及び上層配線間隔条件に基づいて隣接していない上層配線部分のグリッドを判断し非生成グリッドとする。また、仮設定処理部2は上層配線間隔条件に基づいて隣接している上層配線部分のグリッドを判断し仮生成グリッドとする。生成位置検索部3はその仮生成グリッドに対しその両側に下層配線が前記下層配線間隔条件に基づいて存在するか否か判断し、存在する場合にその仮生成グリッドを生成グリッドとする。出力処理部4はその生成グリッドの位置に下層配線と同じ層に形成される平坦化パターンを生成する。

請求項（抜粋）：

予め生成された多層配線構造のレイアウトデータと、多層配線構造で形成された上層配線の上層配線間隔条件及び下層配線の下層配線間隔条件よりなる生成条件とを入力する入力処理部(1)と、下層配線上のグリッド及び上層配線間隔条件に基づいて隣接していない上層配線部分のグリッドを判断し非生成グリッドとして記憶し、上層配線間隔条件に基づいて隣接している上層配線部分のグリッドを判断し仮生成グリッドとする仮設定処理部(2)と、その仮生成グリッドに対しその両側に下層配線が前記下層配線間隔条件に基づいて存在するか否か判断し、存在する場合にその仮生成グリッドを生成グリッドとして出力する生成位置検索部(3)と、その生成グリッドの位置に下層配線と同じ層に形成される平坦化パターンを生成し出力する出力処理部(4)とを設けたことを特徴とする平坦化パターン生成装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  G06F 17/50

FI (2件)：

H01L 21/88 K ,  G06F 15/60 370 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-239873
  
• 半導体装置及び配線配置設計方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-246244   出願人：富士通株式会社