特許

J-GLOBAL ID：200903058990229892

ショットキーダイオードを作製するn-GaNウエハの選別法

発明者： 塩島 謙次 ,  末光 哲也
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 道夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-213588
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033491
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 ショットキ-接触の電気的特性にn-GaNの結晶性がどのように影響するかは知られておらず、どの程度の品質のn-GaN基板が必要なのか明確になっていない。【解決手段】 電子移動度の異なる4種類のn-GaNウエハにNiショットキー接触を形成し、室温でI-V測定行った結果によれば、電子移動度100cm2/Vs以下の試料A,BのI-V特性は漏れ電流が大きい。一方、電子移動度107cm2/Vsの試料Cは良好な特性を示している。試料Cよりも電子移動度が3倍大きく、転位密度が1/3以下の試料DのI-V特性は試料Cと変わらない。すなわち、電子移動度100cm2/Vs以上であれば、転位密度に関係なく、n-GaN上に良好なショットキー接触が形成できる。従って、安価なn-GaNウエハを選択することができる。

請求項（抜粋）：

良好なショットキー接触を可能とするn-GaNウエハの選別に前記n-GaNウエハの電子移動度を選別パラメータとして用い、かつ、前記電子移動度が100cm2/Vs以上である前記n-GaNウエハを選別することを特徴とするショットキーダイオードを作製するn-GaNウエハの選別法。

Fターム (5件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20