配線層形成方法およびその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300181
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139091
出願日： 1994年11月10日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 Cu層を配線の主体とする配線層において、Cu層の付着力を向上させて容易に剥離することのないようにする。配線抵抗の低減化。【構成】シリコン基板を搬送棒41により拡散防止膜堆積室21内に搬入する。堆積室21内において、半導体基板上にTiW、TiN等からなる拡散防止膜を形成する。拡散防止膜形成後、ゲートバルブ31を開き搬送棒41により半導体基板を付着層堆積室22に搬入する。堆積室22において、Al、Ti等からなる付着層を形成する。次に、ゲートバルブ32を開いて搬送棒41により基板をCu層堆積室23に搬入し、Cu層を成膜する。次に、基板を拡散防止膜堆積室21に戻し、ここでTiW、TiN等からなる酸化防止膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、Cuに対する拡散防止能力の高い材料からなる拡散防止膜、該拡散防止膜およびCuに対する付着力の高い材料からなる付着層、Cuを主体とする材料からなる低抵抗金属層をこの順に、若しくは、これらの拡散防止膜、付着層、低抵抗金属層の外に酸化防止膜をこの順に堆積する配線層形成方法において、各膜の堆積工程間において半導体基板を大気に曝すことなく成膜を続けることを特徴とする配線層形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/88 M , H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-202841
半導体装置の積層配線構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-111999 出願人：日本電信電話株式会社
特開昭63-302538

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