特許

J-GLOBAL ID：200903059010913926

p型III族ナイトライド化合物半導体およびその製造方法

発明者： 朝妻 庸紀 ,  簗嶋 克典 ,  宮嶋 孝夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-135406
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326911
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】 結晶性および電気伝導性を向上させると共に、結晶の成長面内における組成比やp型不純物濃度を均一とする。【解決手段】 AlGaN混晶よりなる厚さ1〜100nm程度の第1の層11と、Mgが添加されたp型GaNよりなる厚さ1〜100nm程度の第2の層12とを交互に複数積層する。各層11,12はそれぞれ薄いので、第1の層11がMgを含まず第2の層12がAlを含まなくても全体としてはp型AlGaN混晶としての性質を有する。積層に際してはAlの原料とMgの原料とを時間的に分離して供給するので、良好な結晶の成長を妨害するAlの原料とMgの原料との反応を防止できる。よって、良好な結晶を成長させることができる。

請求項（抜粋）：

ガリウム,アルミニウム,ホウ素およびインジウムからなる群のうちの少なくとも1種のIII族元素と、窒素と、マグネシウム,亜鉛および炭素からなる群のうちの少なくとも1種のp型不純物とを含むp型III族ナイトライド化合物半導体であって、組成あるいは含有するIII族元素の種類とp型不純物濃度とが互いに異なる第1の層と第2の層とを交互に複数層それぞれ備えたことを特徴とするp型III族ナイトライド化合物半導体。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-285404   出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-285404   出願人：日亜化学工業株式会社