特許
J-GLOBAL ID：200903059013902348

半導体装置のキャパシタの製造方法

発明者：
金 榮善

金 榮善 について

, 
朴 泳旭

朴 泳旭 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268697
公開番号（公開出願番号）：特開平9-167833
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の信頼性を向上させうる半導体装置のキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置のキャパシタの製造方法は、HSG-Si種子等150a、150bを形成した後に塩素含有気体を使用して下部電極140aを蝕刻する段階を含むことを特徴とする。また、下部電極140a上に形成された第1HSG-Si種子等150aのみを選択的に成長させる段階後に塩素含有気体を使用して絶縁膜パターン120上に形成された第2HSG-Si種子等150bを蝕刻して除去する段階を含む。本発明によれば、下部電極140aの表面積を増加させ従来より増加されたセル静電容量が確保でき、静電容量の減少無しに相互隣接したキャパシタの下部電極140aが電気的に短絡することを防止できる。
請求項（抜粋）：
半導体装置のキャパシタの製造方法において、半導体基板上に前記半導体基板の所定領域を露出させるコンタクトホールを有する絶縁膜パターンを形成する段階と、前記絶縁膜パターンの所定領域上に前記コンタクトホールを通して露出された半導体基板と接続される下部電極を形成する段階と、前記下部電極の表面及び前記絶縁膜パターンの表面上にHSG-Si種子等を形成する段階と、前記下部電極の表面上に形成されたHSG-Si種子等を蝕刻マスクとして前記下部電極の表面を蝕刻することにより前記下部電極の表面に凹部を形成して変形された下部電極を形成する段階と、前記下部電極の表面上に形成されたHSG-Si種子等を成長させHSG-Si等を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のキャパシタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (4件)：
H01L 27/10 621 C ,  H01L 21/28 E ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-270826   出願人：三洋電機株式会社
  • 特開平3-234051
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM