特許
J-GLOBAL ID：200903059019456579
電界効果型トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-239241
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082558
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【構成】n型電界効果型トランジスタは、Si(110)基板1上に形成された歪み緩和したSi<SB>1-y</SB>Ge<SB>y</SB>バッファ層2,バッファ層に格子整合して引っ張り歪みを受けたSiチャネル層3及びSi<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>層4,n-Si<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>層5,Si<SB>1-z</SB>Ge<SB>z</SB>層6,Si層7,ソース,ドレイン領域8,9及びゲート電極11,ソース,ドレイン電極10,12からなる。【効果】Si<SB>1-y</SB>Ge<SB>y</SB>(110)面上に形成したSi<SB>1-x</SB>Ge<SB>x</SB>/Si界面の<001>方向をチャネルとすることによって、量子準位間の散乱を減少させ移動度を高めることができ、高利得のn型電界効果型トランジスタを得ることができる。
請求項（抜粋）：
第一のSiGe(110)単結晶上に、面内方向に伸長的に歪んだ第一のSi単結晶層を形成し、前記第一のSi単結晶層の上に第二のSiGe単結晶層を形成し、前記第一のSi単結晶層と第二のSiGe単結晶層との界面の<001>方向をチャネルとすることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
