特許
J-GLOBAL ID：200903059020623195

高耐圧半導体装置

発明者：
秋山 肇

秋山 肇 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-180429
公開番号（公開出願番号）：特開2008-294458
出願日： 2008年07月10日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
【課題】オフ動作時における耐圧を低下させることなくオン動作時における素子抵抗を低減する。【解決手段】p型半導体基板1の主表面上にはn-層2が形成される。このn-層2の表面にはp-拡散領域5が形成される。このp-拡散領域5の一方の端部に連なるようにp拡散領域6が形成される。p-拡散領域5内には、このp-拡散領域5よりも高濃度のp型の不純物を含むp拡散領域20が複数個形成される。p-拡散領域5と間隔をあけてp拡散領域3が形成される。このp拡散領域3とp-拡散領域5の間に位置するn-層2の表面上に酸化膜10を介在してゲート電極9が形成される。p拡散領域6の表面と接触してドレイン電極12が形成される。また、p拡散領域3と隣接してn拡散領域4が形成され、このn拡散領域4とp拡散領域3との双方の表面に接触してソース電極11が形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主表面を有する基板と、 前記基板の主表面上に形成された第1導電型の半導体層と、 前記半導体層の表面に形成された第2導電型の第1の不純物拡散領域と、 前記第1の不純物拡散領域と間隔をあけて前記半導体層内に形成された第2導電型の第2の不純物拡散領域と、 前記第1と第2の不純物拡散領域間に位置し、チャネル領域となる前記半導体層の表面上に絶縁層を介在して形成された制御電極と、 前記制御電極から離れた側の前記第2の不純物拡散領域の端部と連なる第2導電型の第3の不純物拡散領域と、 前記第1の不純物拡散領域の表面と前記第1の不純物拡散領域の近傍に位置する前記半導体層の表面との双方に接触して形成された第1の主電極と、 前記第3の不純物拡散領域表面に形成された第1導電型の第4の不純物拡散領域と、 前記第4の不純物拡散領域の表面と接触して形成された第2の主電極と、 を備え、 前記第2の不純物拡散領域の表面には、前記半導体層に含まれる第1導電型の不純物と同程度の濃度の第1導電型の不純物を含む第1導電型の第5の不純物拡散領域が形成され、前記第2の不純物拡散領域はチャネル幅方向の側部に間隙部を有し、前記第5の不純物拡散領域は前記間隙部を介して前記半導体層と接続される、高耐圧半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301D ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 621
Fターム (41件)：
5F110AA01 ,  5F110AA11 ,  5F110BB04 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ06 ,  5F110HJ07 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110HM14 ,  5F110NN62 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC01 ,  5F140AC21 ,  5F140AC22 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BF44 ,  5F140BF54 ,  5F140BH04 ,  5F140BH05 ,  5F140BH06 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BH28 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH43 ,  5F140BH47 ,  5F140BH49 ,  5F140BH50 ,  5F140BK13 ,  5F140CD01 ,  5F140CD02 ,  5F140CD09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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