特許

J-GLOBAL ID：200903059022325043

気相成長方法

発明者： 藤川 一成 ,  磯野 僚多
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-274669
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093275
出願日： 2004年09月22日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】プレーナドープHEMTのシートキャリア濃度の面内バラツキを抑えることができる気相成長方法を提供すること。【解決手段】半導体結晶を成長させる基板3をサセプタ1に保持し、該基板3をサセプタ1に対して自転させ、サセプタ1を加熱し、加熱された基板3上に原料ガス及び希釈用ガスを供給して、プレーナドープ層を有するIII-V族化合物半導体結晶を成長する気相成長方法において、成長中断を行い不純物単原子をドーピングするプレーナドープ層の成長時間を、基板3が自転で1回転する時間tの整数倍とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体結晶を成長させる基板をサセプタに保持し、該基板をサセプタに対して自転させ、サセプタを加熱し、加熱された基板上に原料ガス及び希釈用ガスを供給して、プレーナドープ層を有するIII-V族化合物半導体結晶を成長する気相成長方法において、 成長中断を行い不純物単原子をドーピングするプレーナドープ層の成長時間を、基板が自転で1回転する時間tの整数倍とすることを特徴とする気相成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/30 ,  C30B 29/40

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/30 ,  C30B29/40 502D

Fターム (36件)：

4G077AA03 ,  4G077BE46 ,  4G077BE47 ,  4G077DB01 ,  4G077EB01 ,  4G077EF01 ,  4G077EH05 ,  4G077HA11 ,  4G077TC13 ,  4G077TC19 ,  4G077TJ06 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA25 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AC01 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DP15 ,  5F045DQ10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• III-V族化合物半導体の気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-184719   出願人：日立電線株式会社